- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
این ترانزیستور از یک کریستال نوع N تشکیل شده است که یک فلز ۳ ظزفیتی مانند ایندیم را به گونه ای نفوذ می دهند که یک ناحیه نوع p با غلظتی بیش از ناحیه n تشکیل شود تا یک پیوند PN بوجود آید ...
به خواندن ادامه دهیدبرای افزایش این مقاومت ، میتوان از ترانزیستور اثر میدان با گیت عایق استفاده کرد. در این ترانزیستور،گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا می شود و هیچ جریانی از گیت عبور نمیکند.
به خواندن ادامه دهید۳- ترانزیستور اثر میدانی (fet) ۴- ترانزیستور اثر میدانی (mosfet) ۱- ترانزیستور دوقطبی پیوندی (bjt) در ترانزیستور دو قطبی پیوندی با اعمال یک جریان به پایه b جریان عبوری از دو پایه c و e کنترل می‌شود.
به خواندن ادامه دهیداکسید بازی (اکسید فلز) چیست و چه ویژگی دارد؟. خواندن این مطلب 6 دقیقه زمان میبرد. اکسید بازی اکسیدهایی هستند که خصوصیات بازی را در تقابل با اکسیدهای اسیدی نشان می دهند و در واکنش با آب یک باز ...
به خواندن ادامه دهیدآلومینیوم. اولین ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمرسانا یا ترانزیستور ماس) توسط مهندس مصری محمد عطاالله و مهندس کره‌ای داوون کانگ در آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۵۹ اختراع شد و در سال ۱۹۶۰ نشان داده شد.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان با نیمه هادی اکسید فلزی. bjt. ترانزیستور پیوندی دوقطبی. ساختار سخت افزاری: ۳ ترمینال، گِیت، سورس، درِین پیچیده تر. ۳ ترمینال، امیتر، بیس و کالکتور: فرآیند کارکرد
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدچکیده مقاله: در این ترانزیستورھای اثر میدان نانولوله کربنی، نوید بخش ترین قطعه نانو مقیاس برای پیاده سازی مدارات با کارکرد بالا، چگالی زیاد و توان مصرفی پایین می باشد. یک ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدgallium arsenide-فت آرسنید گالیمی نوعی تقویت کننده جریان کنترل شونده با ولتاژ و بسامد- بالا با یک ماسفت سیلیکینی ، field- effect transistor-ترانزیستور اثر میدانی [ فت] نوعی ترانزیستور تک قطبی و کنترل شونده با ولتاژ که تنها بر اساس حرکت یک ...
به خواندن ادامه دهیدگالیم آرسنید (GaAs) یک ترکیب از عناصر گالیم و آرسنیک است. این ترکیب یک نیمرسانا بوده و ساختار بلوری آن مشابه سولفید روی است. گالیم آرسنید در تولید افزاره‌هایی مانند مایکروویو ، دیودهای ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهیددر این نوع ترانزیستور اثر میدانی، درین و منبع به شدت دوپ شده از ناحیه n+ و زیرلایه یا بدنه از نوع P هستند. جریان در این نوع ماسفت به دلیل الکترون‌هایی با بار منفی اتفاق می‌افتد.
به خواندن ادامه دهیددر این مقاله به بررسی و شبیه سازی ترانزیستورهای اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق پرداخته می شود. در ابتدا مقدمه ای از تکنولوژی سیلیکون بیان می شود و به مشکلاتی که با روند کوچک سازی قطعات ایجاد می گردد ...
به خواندن ادامه دهیدبررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو. محل انتشار: دومین کنفرانس ملی تحقیقات بین رشته ای در مهندسی کامپیوتر، برق ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ترانزیستورها به ۲ گروه کانال N و کانال P …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان نیمرسانا ی اکسید - فلزی ، ترانزیستور اثر میدان باکیت عایق شده ترانزیستور اثر میدان ولتاژ - رانشی با یک گیت فلزی عایق شده - اکسید یا جند بلوری عملکرد ترانزیستور تک قطبی بر اساس حرکت یک حامل اکثریت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدآنها از میدان الکتریکی برای کنترل هدایت الکتریکی یک کانال استفاده می کنند. fet به jfet (ترانزیستور جلوه ای اثر میدان) و mosfet (ترانزیستور تأثیر میدان نیمه هادی فلز اکسید فلزی) طبقه بندی می شود.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان مدوله سازی ترانزیستوری که ساختار آن شبیه به MOSFET است MOSDFET واژه ای است که در دانشگاه اپلی نویز ، کرنل و صنایع هانی ول به کار برده می شود و معنایی شبیه به HEMT TEGFET یا SDHT دارد : modulation - doped field - effect transistor
به خواندن ادامه دهیدطراحی آشکار ساز نور uv با استفاده از تزریق نانوذرات سیلیکون درلایه اکسیدsio2، با استفاده از ساختار فلز- اکسید - نیمه هادی. در این پایان نامه ، ساختار یک آشکارساز نور فرابنفش با استفاده از تزریق ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم دی اکسید یا اکسید سیلیسیم با نام علمی سیلیس و در مکمل های غذایی با نام سیلیکون یا سیلیکا شناخته می شوند. هنگامی که دو عنصر سیلیکون و اکسیژن با هم ترکیب می شوند، سیلیس (SiO2) را تشکیل می دهند.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدانی با گیت ایزوله شده نیمه رسانای اکسید فلز در واقع یک ترانزیستور اثرمیدانی کنترل شده با ولتاژ است که همین حالت قابلیت های زیادی را برای طراحی مدارت مختلف در اختیار ما قرار ...
به خواندن ادامه دهیددر این ترانزیستور،گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا می شود و هیچ جریانی از گیت عبور نمیکند. لذا مقاومت ورودی آن فوق العاده افزایش می یابد.این ترانزیستور بیشتر به ماسفت میشناسند.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور تخلیه ای ترانزیستور اثر - میدانی ( جی فت ) ، فت فلز - اکسید ( ماسفت ) ، با فت فلز نیمرسانا ( مسفت ) از نوع در حالت عادی وصل که اگر پتانسیل سورس و گیت آن یکسان و بایاس گیت آن صفر باشد ، هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدبررسی و شبیه سازی ترانزیستور اثر میدان فلز- اکسید- نیم رسانا سیلیکون روی عایق با استفاده از نرم افزار سیلواکو; ترانزیستور اثر میدان تونلی مبتنی بر In0.9Ga0.1As / In0.1Al0.4Ga0.5As
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور دارای سه لایه‌است که ساختار آن شامل یکی از حالت های زیراست: 1) یک لایه نیمه هادی نوعn بین دو لایه نوعp در پیکربندی مثبت – منفی – مثبت (PNP)،. 2) یک لایه نوعp بین دو لایه نوعn در ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور[۱] مهم‌ترین قطعهٔ مداری در الکترونیک است و برای تقویت یا قطع‌ووصل سیگنال به کار می‌رود. ترانزیستور یکی از ادوات حالت جامد است که از مواد نیمه‌رسانایی مانند سیلیسیم و ژرمانیم ساخته می‌شود.
به خواندن ادامه دهیدنمیرسانای اکسید - فلزی ساختار فلز - عایق - نیمرسانا در لایه عایق اکسیدی بر روی ماده ی زیر ساخت در زیر ساخت سلیسیمی لایه عایق ساز دی اکسید سیلیسیم است ترانزیستورهای اثر میدان ، خازنها ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور از سیلیکون، یک عنصر شیمیایی موجود در ماسه ساخته می شود که خاصیت رسانایی ندارد. ... ترانزیستور اثر میدان نیمه هادی اکسید فلز یا ماسفت (mosfet) متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ...
به خواندن ادامه دهیدآلومینیوم [ویرایش]. اولین ماسفت (ترانزیستور اثر میدانی فلز-اکسید-نیمرسانا یا ترانزیستور ماس) توسط مهندس مصری محمد عطاالله و مهندس کره‌ای داوون کانگ در آزمایشگاه‌های بل در سال ۱۹۵۹ اختراع شد و در سال ۱۹۶۰ نشان داده شد.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور های اثر میدان اکسید فلز در دو نوع N-Channel و P-Channel موجود هستند. متداول ترین و محبوب ترین نوع در بین تمام ترانزیستور ها ماسفت ها هستند.
به خواندن ادامه دهید