- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
بازدید: ۱۶۴۵. ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی که به اختصار JFET (Junction Field Effect Transistor) نامیده می‌شوند، یک المان نیمه‌رسانای تک قطبی است که دارای سه پایه بوده و با ولتاژ کنترل می‌شود. این نوع ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور قطعه‌ای است سه پایه، که در ساختمان داخلی آن از دو دیود استفاده شده است. این قطعه در نقشه با علامت نشان داده می‌شود. پایه‌های آن عبارتند از بیس (b)، امیتر (e) و کلکتور (c). ترانزیستور در نقشه موبایل اکثرا با ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ها دقیقا چه نوع وسیله ای هستند؟. ترانزیستورها وسایلی هستند که حرکت الکترون ها و در نتیجه الکتریسیته را کنترل می کنند. آنها چیزی شبیه یک شیر آب کار می کنند – نه تنها یک جریان را شروع ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدانی یک قطعه نیمه رسانا تک قطبی سه ترمیناله است که دارای ویژگی های بسیار شبیه به همتای ترانزیسور دو قطبی خود است برای مثال، بازدهی بالا، عملکرد لحظه ای، مقاوم بودن و ارزان بودن و توانایی استفاده در ...
به خواندن ادامه دهیدنام ترانزیستور خود نشان می دهد که ترانزیستورهای قدرت در کاربردهایی استفاده می شوند که به توان بالا، ولتاژ بالا و جریان بالا نیاز است.
به خواندن ادامه دهیدسر سوزن کند شستشو. نوع دیگری از سرنگ شستشو. نوع دیگری از دسته‌بندی سرنگ‌ها بر اساس نوع سر سرنگ میباشد که به چهار دسته زیر تقسیم می شوند: پیچی یا لوئرلاک (Luer lock tip) فشاری یا لوئراسلیپ (Luer slip tip ...
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای اثر میدانی، جا به جایی حامل های الکتریکی (الکترون و حفره) در نیمه هادی ها با استفاده از یک میدان الکتریکی اتفاق می افتد.
به خواندن ادامه دهیدمزایای استفاده از ترانزیستور اثر میدان (JFET) • ترانزیستور JFET مقاومت ظاهری بسیار بالایی دارد. • ترانزیستور JFET از جمله دستگاه‌های الکترونیکی با مصرف بسیار پایین است. • انواع مختلف ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور پیوندی اثر میدان یا جِی‌فِت. junction gate field-effect transistor یا (JUGFET یا JFET) به گونه‌ای از ترانزیستورهای اثر میدان گفته می‌شود که از یک کانال عبور و یک گیت تشکیل شده‌اند. دو پایه درین (Drain) و ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی به ترانزیستورهای اثر میدان اتصالی (jfet) و ترانزیستورهای اثر میدانی گیت عایق (ig-fet) یا ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلزی (mosfet) طبقه بندی می شوند.
به خواندن ادامه دهیددر آموزش‌های پیشین مجله فرادرس، با ترانزیستور و نحوه عملکرد آن آشنا شدیم. در این آموزش مطالبی را درباره نام پایه های ترانزیستور و تشخیص آنها بیان می‌کنیم. فهرست مطالب این نوشته ترانزیستور پیوندی دو قطبی (bjt) تشخیص نام ...
به خواندن ادامه دهیدهنگام استفاده از ماسفت یا استفاده از هر ترانزیستور اثر میدان دیگری به عنوان سوییچ، بهتر است که اولویت با انتخاب ماسفت هایی با R DS پایین باشد در ضمن در برخی مواقع استفاده از هیت سینک (Heat Sink) برای ...
به خواندن ادامه دهیدقرص پروژسترون. در قرص مدروکسی پروژسترون از هورمون های زنانه استفاده شده است و اغلب برای درمان مشکلات جنسی و هورمونی بانوان مورد استفاده قرار می گیرد. البته لازم به ذکر است که مصرف این قرص با ...
به خواندن ادامه دهیدبرای خنثی کردن این اثر، می‌توان ولتاژ آفست را در پایه 1 و پایه 5 اعمال کرد. این کار را معمولاً می‌توان با استفاده از پتانسیومتر انجام داد. پایه ۸ (n/c): این پایه به هیچ مداری در درون آی‌سی 741 متصل ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان ... بنابراین، ترانزیستور pnp به عنوان یک سوئیچ استفاده می‌شود.به طور خلاصه، در ترانزیستورهای npn، جریان کلکتور با افزایش جریان پایه افزایش می‌یابد، در حالی که در ...
به خواندن ادامه دهیداستفاده می‌شود. در حالت قطع و اشباع نیز به عنوان سوئیچ و در ساخت مدارات الکتریکی و گیت‌های منطقی کاربرد دارند. در این مقاله از mskala می‌خواهیم شما را با ترانزیستور و انواع آن آشنا کنیم.
به خواندن ادامه دهیدبه هر حال، کاهش در اندازه ترانزیستورهای اثر میدانی حال حاضر، در زمانی نه چندان دور به علت اثرات مکانیک کوانتومی و محدودیت تکنیک های ساخت، غیر ممکن خواهد بود. بسیاری از محققان که در زمینه ...
به خواندن ادامه دهیدبهره جریان ترانزیستورهای دوقطبی را می توان با استفاده از ساختارهای hbt با بیس sige، امیتر با ناخالصی غیر یکنواخت، یا امیتر پلی سیلیکن افزایش داد. تمام این روش ها اگر چه کاربرد زیادی دارند اما ...
به خواندن ادامه دهیدمنبع تغذیه سوئیچینگ (پاور سوئیچینگ) یک منبع تغذیهٔ الکترونیکی است.که توان را از یک منبع به یک مقصد (مصرف‌کننده) هم‌زمان با تغییر مشخصه‌های ولتاژ و جریان تبدیل می‌کند.
به خواندن ادامه دهیددر این آموزش با ترانزیستورهای اثر میدان پیوندی یا ترانزیستور jfet آشنا می‌شویم. در آموزش مربوط به ترانزیستور پیوندی دوقطبی دیدیم که جریان خروجی کلکتور، متناسب با جریان ورودی گذرنده از بیس است که سبب می‌شود ترانزیستور ...
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیدنکته: چون JFET ها از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال (Gate) استفاده می‌کنند و جریان گذرنده از کانال متناسب با این ولتاژ ، کم و زیاد می شود و همچنین عملکرد FET مبتنی بر یک میدان الکتریکی حاصل از ولتاژ Gate است به آن ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدمنحنی مشخصات تقویت کننده JFET منبع مشترک. همانند مدار دوقطبی امیتر مشترک، خط بار DC برای تقویت‌کننده JFET منبع مشترک یک رابطه خط مستقیم که گرادیان آن برابر با -1/ (Rd+Rs) است تولید می‌کند و آن محور Id ...
به خواندن ادامه دهیدنمودار HEMT تا حدودی شبیه به ترانزیستورهای MOSFET میباشد. در این ترانزیستور با اعمال ولتاژ تحریکی به گیت، باعث شارژ در ناحیهی گاز الکترونی می گردد. مقدار ns در معادلهی زیر نشان داده شده است. معادله 1 ...
به خواندن ادامه دهیددر ترانزیستورهای پیوند اثر میدانی (JFET)، با اعمال ولتاژ به پایه گِیت، میزان جریان میان دوپایه سورس و دِرِین کنترل می‌شود. ترانزیستور اثر میدانی به دو نوع تقسیم می‌شود: نوع n یا N-Type و نوع p یا P-Type.
به خواندن ادامه دهیددر گروه ترانزیستورهای اثر میدانی، کنترل جریان براساس الکترون های آزاد یا حفره حاصل از میدان الکتریکی صورت می گیرد. در این گروه ترانزیستورها خود به دو دسته ی ماسفت و جی فت تقسیم می شوند.
به خواندن ادامه دهیددر جلسه‌ی پرسش‌و‌پاسخی که پس از سخنرانی برگزار شد، میبری ادعا کرد تولید انبوه ترانزیستورهای نانوسیم (Nanowire) را تا پنج سال آینده ممکن می‌دادند. پیش‌بینی او به‌نوعی هدفی ملموس برای اینتل و ...
به خواندن ادامه دهیدنام گذاری ترانزیستور در این سیستم به شرح زیر است : با 2Sدر ابتداشروع و اگر حرف بعدی A و یا B باشدترانزیستور مثبت (PNP) میباشد پس 2SAیعنی ترانزیستور مثبت بافرکانس کار بالا و 2SB یعنی ترانزیستور مثبت (PNP ...
به خواندن ادامه دهیدبدون شک ساخت ترانزیستورهای FinFET موفقیت بزرگی بود. درحالی‌که بیش از یک دهه از زمان معرفی FinFET سپری شده است، اولین ترانزیستوری که در سال ۲۰۱۱ اینتل، سامسونگ، TSMC و سایر شرکت‌ها در قالب لیتوگرافی ۲۲ نانومتری از آن استفاده ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدانی آن دسته از ترانس صنعتی است که از سه منطقه تشکیل شده‌اند: دروازه، منبع و تخلیه. ... تولید کنندگان مختلف از الگوهای پیشرفته خطی استفاده می‌کنند و در نتیجه عملکرد عالی و ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور مافست از نوع ترانزیستورهای اثر میدانی است و اثر میدانی نیمه رسانا دارد. از ماسفت در حافظه ها، ریزپردازنده ها و گیت های cmos منطقی و دیگر موارد استفاده می شود. در این مقاله به بررسی ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور چیست؟ ترانزیستورها قطعات اکتیو سه‌سری هستند که از مواد نیمه‌هادی مختلف ساخته شده‌اند و می‌توانند در کاربردهای ولتاژ سیگنال کوچک به عنوان یک عایق یا یک رسانا عمل کنند. توانایی ترانزیستور در تغییر بین این ...
به خواندن ادامه دهیدبسیاری از ترانزیستورهای مبتنی بر نانولولهها از نانولولهای کربنی تک دیواره1 ساخته شده اند، چون انرژی شکاف باند آنها در حد نیمه هادی است.در سال 2004 ، امکان جداسازی لایههای منفرد گرافیت با ضخامت ...
به خواندن ادامه دهیدپاسخ به سوال : ترانزیستور چگونه کار می کند؟ جواب : طرز کار ترانزیستور به اینصورت است، چنانچه پیوند BE را بصورت مستقیم بایاس (Bias به معنی اعمال ولتاژ و تحریک است) کنیم بطوری که این پیوند PN روشن شود (برای اینکار کافی است که به ...
به خواندن ادامه دهیدبخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهید