- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
ترانزیستورها در طول 50 سال گذشته کوچک شده اند، اما ما به نقطه ای رسیده ایم که دیگر نمی‌توان آن را ادامه داد. محققان ترانزیستورهای اثر میدان دارای ظرفیت منفی را بررسی می کنند که یک مفهوم جدید دستگاه است.
به خواندن ادامه دهیدMOSFETماسفت. ماسفِت یا ترانزیستور اثرِ میدانیِ نیمه‌رسانای اکسید-فلز (به انگلیسی: metal–oxide semiconductor field effect transistor ٫ MOSFET) معروف‌ترین ترانزیستور اثر میدان در مدارهای الکترونیک آنالوگ و دیجیتال است.
به خواندن ادامه دهیدطرح تولید سیلیسیم کاربید. سیلیسیم کاربید، یا سیلیکون کارباید (کاربوراندم) که با فرمول مولکولی SiC شناخته می شود از مواد نیمه رسانا و دیرگذار است که در طبیعت به صورت خام موجود نیست. در واقع این ...
به خواندن ادامه دهیداین ماده به صورت جامد بلوری بوده و نمونه های خالص آن معمولا بی رنگ و شفاف می باشند. در صورتی که به سیلیکون کاربید برخی ناخالصی ها نظیر آلومینیوم و یا نیتروژن اضافه گردد، رنگ آن بسته به میزان ...
به خواندن ادامه دهیدکاربید ( انگلیسی: Carbide) به یک ترکیب شیمیایی گفته می‌شود که از کربن و یک عنصر با الکترونگاتیویته کمتر تشکیل شده باشد. کاربیدها بر پایهٔ پیوند شیمیایی به چهار گروه کاربیدهای نمک‌گون ، کاربیدهای ...
به خواندن ادامه دهیداصل کار ماسفت. اصلی ترین کار ماسفت این است که بتواند جریان ولتاژ و جریان بین پایانه‌های منبع و تخلیه را کنترل کند. تقریباً مانند یک سوئیچ کار میکند و عملکرد دستگاه بر اساس خازن MOS است. خازن MOS ...
به خواندن ادامه دهیدپرکاربرد ترین ترانزیستور اثر میدان با گیت ایزوله شده، ترانزیستور اکسیدفلز نیمه رسانای اثر میدان یا MOSFET می‌باشد . IGFET یا MOSFET توسط ولتاژ کنترل می‌شوند و بر خلاف ترانزیستورهای JFET دارای الکترود ...
به خواندن ادامه دهیدنوع متداول‌تر ماسفت، یعنی ماسفت افزایشی یا eMOSFET برعکس ماسفت کاهشی است. در این نوع ماسفت، کانال هدایت به اندازه کمی آلاییده شده یا اینکه ناخالصی ندارد و این امر سبب می‌شود کانال نارسانا باشد. در …
به خواندن ادامه دهیدتعویض dc این مدار تقویت کننده mosfet مشترک (cs) تقریبا با تقویت کننده jfet مشابه است. مدار mosfet در حالت کلاس a توسط شبکه تقسیم کننده ولتاژ تشکیل شده توسط مقاومت r1 و r2 تعصب دارد . مقاومت ورودی ac به r in = r g = 1mΩ داده می شود .
به خواندن ادامه دهیدالمنت حرارتی کاربید سیلیسیم المنت sic یا سیلیکون کارباید معمولا یک لوله یا استوانه‌ی اکستروژن ساخته‌شده از دانه‌های بسیار خالص کاربید سیلیسیم است که از طریق فرایند پیوند واکنشی یا ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای mosfet همانند jfet دارای سه ترمینال : گیت، درین و سورس هستند و به دو نوع کانال(n)(nmos) و کانال (p)(pmos) تقسیم می‌شوند اما یک نوع دسته بندی دیگر برای mosfet ها وجود دارد که آنها را …
به خواندن ادامه دهید«ترانزیستور اثر میدان نیمه‌رسانای اکسید فلز» (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا ماسفت، یک گزینه عالی برای تقویت‌کننده‌های خطی سیگنال کوچک است، زیرا امپدانس ورودی آن بسیار زیاد است که …
به خواندن ادامه دهیداستفاده از ولتاژ گیت منفی (ve-) بر روی eMOSFET از نوع p باعث افزایش هدایت کانال ها در تبدیل آن به حالت "روشن" می شود؛ سپس برای حالت تقویت کانال p MOSFET: +VGS ترانزیستور را "خاموش" می کند ، در حالی که VGS ...
به خواندن ادامه دهیدچندین شرکت کلیدی در فضای کاربید سیلیکون منابع و محصولات فراوانی را با محوریت SiC ارائه می دهند. Cree Wolfspeed انواع محصولات کاربید سیلیکون مانند ماسفت ها، دیودها، AOS-Q101 (خودرو) MOSFET را ارائه می دهند.
به خواندن ادامه دهیدنوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند ( ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی - Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor ) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است ...
به خواندن ادامه دهیدمدار تقویت‌کننده شامل یک jfet n کاناله است اما قطعه همچنین می‌تواند یک mosfet حالت -تهی n – کانال باشد به طوری که نمودار مدار همان خواهد شد تنها یک تفاوت در fet است که در یک پیکربندی منبع مشترک وصل شده است.
به خواندن ادامه دهیدماسفت قدرت از پر کاربرد ترین کلید هایی است که از آنها در ولتاژ های کمتر از ۲۰۰ ولت استفاده می شود و از مهم ترین کاربرد های آن می توان به موارد زیر اشاره کرد.
به خواندن ادامه دهیدپاورپوینت کامل و جامع با عنوان ترانزیستورهای ماسفت (MOSFET) و تکنولوژی CMOS در 101 اسلاید | دانلود انواع فایل و مقاله آموزشی. ماسفتیاترانزیستور اثر میدانی نیمه‌رسانا-اکسید-فلز(به انگلیسی : metal–oxide ...
به خواندن ادامه دهیدشکل و مواد به‌کاررفته در ساختار ترانزیستورها با گذر زمان تغییر کرده است؛ اما ترانزیستورهای اثر میدانی نیمه‌رسانای اکسید فلز (mosfet) که در ریزپردازنده‌ها استفاده می‌شوند، از زمان اختراع در ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان با گیت عایق شده یا IGFET ( Insulated Gate FET ) این ترانزیستور ها دارای گیت عایق شده می باشند. در این ترانزیستور ها گیت با لایه اکسید سیلیکون از کانال جدا می شود و هیچ جریانی از گیت نمی ...
به خواندن ادامه دهیداز ترانزیستورها در اندازه‌های کوچک و انواع گسسته، می‌توان برای ساخت سوئیچ‌های الکترونیکی ساده، منطق دیجیتال و مدارهای تقویت‌کننده سیگنال استفاده کرد. هزاران، میلیون‌ها و حتی میلیاردها ترانزیستور در کنار یکدیگر ...
به خواندن ادامه دهیدنوع دیگر ترانزیستورهای اثر میدانی MOSFET ها هستند (ترانزیستور اثر میدانی اکسید فلزی نیمه هادی | Metal-Oxide Semiconductor Field Efect Transistor) یکی از اساسی ترین مزیت های ماسفت ها نویز کمتر آنها در مدار است.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و درین (drain) ساخته شده اند.
به خواندن ادامه دهیدکاربید (carbide) یک ترکیب فلزی است که در آن کربن با یک عنصر فلزی یا نیمه فلزی ترکیب می شود. کاربید ها انواع مختلفی دارند و کاربردهای مختلفی نیز در صنعت، پزشکی و مصارف خانگی دارند. کاربید کلسیم منبع ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان، خود به دو دستهٔ ترانزیستور پیوند اثر میدانی (JFET) و ترانزیستور اثر میدان نیمه‌هادیِ اکسید-فلز (Metal-Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, MOSFET) که به اختصار به آن ماسفت گفته می‌شود ...
به خواندن ادامه دهیدهنگام استفاده از ماسفت یا استفاده از هر ترانزیستور اثر میدان دیگری به عنوان سوییچ، بهتر است که اولویت با انتخاب ماسفت هایی با R DS پایین باشد در ضمن در برخی مواقع استفاده از هیت سینک (Heat Sink) برای ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم کاربید. 3.16 g·cm -3 (hex.) ؟) سیلیسیم کربید ، سیلیکون کربید (به انگلیسی: Silicon carbide) یا کاربوراندم (به انگلیسی: carborundum) با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز و نیمه رسانا است که به‌صورت خام در ...
به خواندن ادامه دهیددر گروه ترانزیستورهای اثر میدانی، کنترل جریان براساس الکترون های آزاد یا حفره حاصل از میدان الکتریکی صورت می گیرد. در این گروه ترانزیستورها خود به دو دسته ی ماسفت و جی فت تقسیم می شوند.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای MOSFET که در حالت نرمال روشن هستند با عنوان Depletion Type شناخته می‌شوند. این نوع از ترانزیستورهای MOSFET، به دلیل جنس مواد تشکیل شده در آن، از رسانایی الکتریکی بسیار بالایی برخوردار هستند.
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور ماسفت یا MOSFET (مخفف عبارت Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor، به معنای ترانزیستور اثر میدانیِ نیمه رسانای اکسید فلز) دستگاهی نیمه هادی است که به صورت گسترده برای اهداف سوئیچینگ و تقویت سیگنال های الکترونیکی در برد ...
به خواندن ادامه دهیدترانزیستورهای اثر میدان نوع دیگری از ترانزیستور ها هستند که عموماً به ماسفِت -MOSFET (metal oxide semiconductor field effect transistor) شناخته می شوند که از پین (pin)، گیت (gate)، سورس (source) و …
به خواندن ادامه دهیدترانزیستور اثر میدان (Field Effect Transistor) یا FET، از یک ولتاژ برای اعمال به ترمینال ورودی که گیت (Gate) نامیده می‌شود، استفاده میکند و جریان گذرنده از آن متناسب با این ولتاژ است.
به خواندن ادامه دهیدمنبع جریان ثابتFET از JFET ها و MOSFET ها برای ارائه جریان باری استفاده می‌کنند که علیرغم تغییر در مقاومت بار یا ولتاژ تغذیه ثابت می‌ماند. منبع جریان ثابت FET نوعی مدار فعال است که از ترانزیستور اثر ...
به خواندن ادامه دهیدتفاوت بین JFET و MOSFET. هر دو ترانزیستور اثر میدانی تحت کنترل ولتاژ (FET) هستند که عمدتا برای تقویت سیگنال های ضعیف ، عمدتا سیگنال های بی سیم استفاده می شوند. آنها دستگاه های UNIPOLAR هستند که می توانند ...
به خواندن ادامه دهیدبخشی از مقاله. ترانزیستور. ترانزیستورهای جدید به دو دسته کلی تقسیم می شوند: ترانزیستورهای اتصال دوقطبی (BJTs) و ترانزیستورهای اثر میدانی (FETs). اعمال جریان در BJTها و ولتاژ در FETها بیین ورودی ...
به خواندن ادامه دهید