- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Our Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. We established a new benchmark for energy-efficient power switches when we created the industry's first fully-qualified Silicon Carbide MOSFET in 2011, and we have been perfecting the ...
به خواندن ادامه دهیدساخت فوم نانو کامپوزیت پلی‌یورتان سخت با استفاده از نانو ذرات SiC و بررسی خواص مکانیکی و جذب انرژی آن تحت بار دینامیکی: مدل سازی در مهندسی: مقاله 1، دوره 16، شماره 53، تیر 1397 ، صفحه 1-7 اصل مقاله (824.35 K)
به خواندن ادامه دهیدReliability aspects of SiC Trench MOSFETs Reliability tests for ROHM Trench MOSFETs Test IEC Standard Conditions Si SiC Comments SiC High Temperature Reverse Bias 60747 ds,max 1000 h @ 95% V, T amb = 125..145°C @ 100% V ds,max T amb = T j,max =175°C High Temperature Gate Bias 60747 1000 h @ ±V GS,max, T amb = T j,max …
به خواندن ادامه دهیدماشینکاری (به انگلیسی: Machining) فرایند ساخت و تولید قطعات به روش حذف مواد ناخواسته به شکل براده (Chip) می‌باشد. [۱] مقدار قشری که از قطعه اولیه برداشته می‌شود تا قطعه صیقلی و نهایی ایجاد گردد ...
به خواندن ادامه دهیدآهنربا جسمی است که میدان مغناطیسی ایجاد می‌کند و برخی فلزات مانند آهن و نیکل را به خود جذب می‌کند. هر آهنربا دو ناحیهٔ متمایز به نام «قطب» دارد که در آن‌ها شدت میدان مغناطیسی آهنربا بیشتر از ...
به خواندن ادامه دهیدThe improved performance at high frequency and high temperature of ROHM's SCT3040K and SCT3080K SiC MOSFETs have helped Lucid to reduce the size of the design, and to reduce power losses, which ...
به خواندن ادامه دهیدسخت کاری فلزات به روش کوئنچینگ به این صورت است که. مواد سخت شده، ابتدا در آب تا دمای 300 درجه تا 400 درجه سانتیگراد سرد می شوند و. سریعاً به محیط خنک کننده با شدت کمتر (به عنوان مثال هوا یا روغن ...
به خواندن ادامه دهیدEvaluation Board HB2637L-EVK-301. The evaluation board is configured in a half bridge set up and thus allows evaluations in different operations modes such as buck, boost, synchronous buck/boost and inverter operations. The board is equipped with two SiC MOSFETs (SCT4036KW7), isolated gate driver BM61S41RFV-C, isolated power supply …
به خواندن ادامه دهیدThe MOSFET will turn ON or OFF after the Gate voltage turns ON/OFF. The time in between turning ON or OFF is called the switching time. Various switching times are listed in Table 1 below. Generally, t d (on), t F, t d (off) and t r are specified. ROHM determines the typical values utilizing a measurement circuit like the one shown in Figure 2.
به خواندن ادامه دهیدSCT4036KE is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. Advantages of ROHM's 4th Generation SiC MOSFETThis series has about 40% reduction in on-resistance and …
به خواندن ادامه دهید• Built-in 1700V SiC-MOSFET: BM2SC12xFP2-LBZ series is a quasi-resonant AC/DC converter that provides an optimum system for all products that have an electrical outlet. • 150V GaN HEMT: ROHM's 150V GaN HEMT GNE10xxTB are optimized for power supply circuits in industrial and communication equipment for industry highest (8V) gate …
به خواندن ادامه دهیدKey Advantages of ROHM's 4 th Generation SiC MOSFETs. One key parameter in the development of the 4 th Generation SiC MOSFET was the further reduction of area-specific on-state resistance. As can be seen from Figure 1, that shows a comparison of the on-resistance for two ROHM SiC MOSFETs with equal chip size from the 3 rd and …
به خواندن ادامه دهیدThe latest generation of high power MOSFETs have been designed to deliver best-in-class performance, to improve efficiency, and to optimize thermal performance and EMI behavior. As the world's leading MOSFET manufacturer and supplier, Infineon offers superior quality metal-oxide-silicon transistors to suit a variety of needs.
به خواندن ادامه دهید4th Generation SiC MOSFETs and xEVs. The evolution of next-generation electric vehicles (xEVs) has led to a demand for electrical power systems that are more efficient, smaller, and lighter in weight. …
به خواندن ادامه دهیددر زمینه‌های صنعتی مانند دستگاه بالابر، رباتیک، متر و غیره از مواد فرومغناطیس سخت استفاده می‌شود. در زمینه نجوم و هوا فضا مانند ساخت قطب نما خودکار و ابزار دقیق و غیره این مواد کاربرد دارند.
به خواندن ادامه دهیدSCT4045DR is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-speed switching …
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFET. SiC MOSFET は、スイッチングのテールがにせず、がかつスイッチングがいデバイスです。. オンとチップサイズにより、ゲートがします。. また、SiCはにおいてもオンのが ...
به خواندن ادامه دهیدThe use of SiC semiconductor materials presents a leap forward in technology for MOSFET devices, and ROHM is leading the way. SiC MOSFETs are fast, high voltage, and high …
به خواندن ادامه دهیدSCT2080KEHR. 1200V, 40A, THD, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive. AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT2080KEHR is an SiC (Silicon Carbide) MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. Data Sheet Buy Sample.
به خواندن ادامه دهیدROHM's latest 4 th generation of SiC MOSFETs, which has been adopted by SEMIKRON, provides industry-leading low ON resistance with improved short-circuit withstand time. These characteristics ...
به خواندن ادامه دهیدAdvanced design expected to see widespread adoption in the main drive inverters of EVs. ROHM announces the cutting-edge 4th Generation 1200V SiC MOSFETs optimized for automotive powertrain systems, including …
به خواندن ادامه دهیدROHM Semiconductor SiC MOSFET are available at Mouser Electronics. Mouser offers inventory, pricing, & datasheets for ROHM Semiconductor SiC MOSFET. Skip to Main Content (800) 346-6873. Contact Mouser (USA) (800) 346-6873 | Feedback. Change Location. English. Español $ USD United States.
به خواندن ادامه دهیدThe following is a high-level summary of our findings: New 4th Generation SiC MOSFETs featuring the industry's lowest ON Resistance. Rohm SCT4045DEC11 Gen4 750 V 45 …
به خواندن ادامه دهید：JEDEC。( )ROHM,< >。 SiC MOSFET 134 SiC MOSFET SiC MOSFET ： 22/05/11 13:32 カテ ゴリパワーデバイス ,D 5 '@, æ;ÿ4ÿ ÿ ¢þ»þÌæ<
به خواندن ادامه دهیدسَنگ یا صَخرِه به مواد جامدی از پوسته زمین گفته می‌شود که از یک یا چند کانی که با یکدیگر پیوند یافته‌اند، تشکیل شده‌است. در زمین‌شناسی سنگ تجمعی طبیعی و جامد از مواد معدنی یا شبه‌معدنی است ...
به خواندن ادامه دهیدexamples of application circuits for the Products. ROHM does not grant you, explicitly or implicitly, any license to use or exercise intellectual property or other rights held by …
به خواندن ادامه دهیدic u2,u102 bm61m41rfv-c driver ic rohm ssop-b10w ic u201 bd450m2wefj-ce2 ldo(5v,0.2a) rohm htsop-j8 ic u51,u151 s-19700a00a-e8 ldo(20v,0.4a) ablic hsop-8a shunt regulator …
به خواندن ادامه دهیدSCT3022KLHR. 1200V, 95A, THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET for Automotive. AEC-Q101 qualified automotive grade product. SCT3022KLHR is an SiC (Silicon Carbide) trench MOSFET. Features include high voltage resistance, low ON resistance, and fast switching speed. Data Sheet Buy Sample.
به خواندن ادامه دهیدSCT4013DR is a SiC MOSFET that contributes to miniaturization and low power consumption of applications. This is a 4th generation product that achieves industry-leading low on-resistance without sacrificing short-circuit withstand time. This is a 4-pin package type with a driver source terminal that can maximize the high-speed switching …
به خواندن ادامه دهیدSCT3040KR 1200V, 55A, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide (SiC) MOSFET. SCT3040KR is an SiC MOSFET featuring a trench gate structure optimized for a number of applications, including server power supplies, solar power inverters, switch-mode power supplies, motor drives, induction heating, and EV charging stations requiring high …
به خواندن ادامه دهیدSi HV MOSFET Medium-high power, high voltage, up to several kw, high frequency SMPS, server and telecom, DC/DC, low power motor control, OBC, charging station IGBT Very high power, high voltage, medium frequency up to 50 kHz HV motor control, H.A., UPS, welding, induction heating, main traction SiC MOSFET
به خواندن ادامه دهیدROHM Semiconductor SCT3x 3rd Generation SiC Trench MOSFETs. ROHM Semiconductor SCT3x series SiC Trench MOSFETs utilize a proprietary trench gate structure that reduces ON resistance by 50% and input capacitance by 35% compared with planar-type SiC MOSFETs. This design results in significantly lower switching loss and …
به خواندن ادامه دهیدکامپوزیت چیست: کامپوزیت به ماده‌ای اطلاق می‌شود که از دو فاز ماتریس و تقویت کننده تشکیل شده باشد و از فاز دوم حداقل به اندازه ۵ درصد استفاده شده باشد.
به خواندن ادامه دهید