- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
How to Drive SiC MOSFETS. With the superior material properties in mind the question poses how these parts have to be controlled on to work at their very best. Starting from things we know, Si MOSFETs need a positive gate voltage, which is recommended around 12V or even less and the negative gate voltage should be ground …
به خواندن ادامه دهیدساده ترین روش تولید کاربید سیلیکون شامل ذوب ماسه و کربن سیلیس مانند ذغال سنگ در دمای بالا تا 2500 درجه سانتیگراد است. نمونه های تیره تر و رایج تر از کاربید سیلیکون اغلب شامل ناخالصی های آهن و کربن هستند، اما کریستال های ...
به خواندن ادامه دهیدکاربید ( انگلیسی: Carbide) به یک ترکیب شیمیایی گفته میشود که از کربن و یک عنصر با الکترونگاتیویته کمتر تشکیل شده باشد. کاربیدها بر پایهٔ پیوند شیمیایی به چهار گروه کاربیدهای نمک‌گون ، کاربیدهای ...
به خواندن ادامه دهیدMicrochip's 3.3kV MOSFETs and SBDs join the firm's portfolio of SiC solutions that include 700V, 1200V and 1700V die, discretes, modules and digital gate drivers. The 3.3kV SiC power devices include MOSFETs with what is reckoned to be the industry's lowest R DS (on) of 25mOhm and SBDs with the industry's highest current …
به خواندن ادامه دهیدسوال 1: در مورد تولید سیلیکون، میشه راجع به این جمله یک توضیح مختصری بفرمایید: "این فرآیند کاهشی در یک کوره قوس الکتریکی با مقدار اضافی SiO2 انجام خواهد شد تا از تجمع سیلیکون کاربید (SiC) جلوگیری ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم کاربید چیست؟ سیلیسیم کاربید به نقل از ویکی پدیا:. سیلیسیم کربید، سیلیکون کربید (به انگلیسی: Silicon carbide) یا کاربوراندم (به انگلیسی: carborundum) با فرمول شیمیایی SiC، یکی از مواد دیرگداز و نیمه رسانا است که به‌صورت خام در ...
به خواندن ادامه دهیداز بازخورد آگهی و تبلیغات اینترنتی هدفمند لذت ببرید و کسب و کار خود را رونق دهید
به خواندن ادامه دهیدto the physical properties of SiC, the electric field intensity in SiC chips unavoidably tends to increase; in particular, the intensity of the electric field to be applied to the gate oxide at the trench bottom becomes high. Therefore, SiC-MOSFETs require special consideration, unlike Si trench MOSFETs. Figure 3 illustrates the
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون کارباید یا ( Sic) یکی از مهمترین سرامیک های غیراکسیدی است که کاربردهای صنعتی مختلفی دارد؛ که این موضوع ماده به مقدار بسیار کم در برخی از شهاب سنگ ها وجود دارد.Achesonاولین بار با عبور یک جریان الکتریکی از میان مخلوط ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیسیم کاربید (کاربید سیلیسیم) یا سیلیکون کارباید (Silicon carbide) یا سیلیسیم کربید که با فرمول Sic است و از مواد نیمه رسانا و دیرگذار است. Silicon carbide به دلیل ویژگی های خاصی که دارد همچون سختی بالا، در صنایع گوناگونی کاربرد دارد و ...
به خواندن ادامه دهیدالمنت SiC یک میله ساخته شده از سیلیکون کارباید است که در مرکز آن با نام زون حرارتی معروف است و دارای مقاومت الکتریکی بالا است ، ایجاد حرارت تا 1550 درجه سانتیگراد می کند. این المنت در انواع مختلف و ...
به خواندن ادامه دهیدخرید و فروش، خدمات و قیمت سیلیکون کارباید، فروش سیلیکون کارباید، سنباده، هاردنر، رزین برق، غلاف ترموکوپل، کاربید سیلیکون، فروش پودر سنباده، اکسید آلومینیوم، سیلیکون قالبگیری، خرید سیلیکون کارباید، اکسید، سیلیس ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFETs capable of blocking extremely high voltages (up to 15kV); while dopant control for thin highly-doped epitaxial layers has helped enable low on-resistance 900V SiC MOSFET production. Device design and processing improvements have resulted in lower MOSFET specific on-resistance for each successive device generation.
به خواندن ادامه دهیدروش های تولید سیلیکون کاربید همانطور که گفته شد سیلیکون کاربید یک ماده معدنی بسیار نادر و کمیاب است و به دلیل کاربرد بسیار گسترده آن، امروزه تولید آن به صورت مصنوعی و به روش سنتز انجام می گیرد.
به خواندن ادامه دهیدغلاف سیلیکون کارباید یا ترموول سیلیکون کاربید سیلیکون کارباید یک ماده معدنی جامد بلوری است که با نماد شیمیایی SiC نشان داده می شود که در صنایع در صنایع به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن carborundum ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون کارباید چیست و چه کاربردی دارد ؟. سیلیکون کارباید با نماد شیمی اس آی سی ( SIC ) خصوصیات و کاربرد های SIC. از این ترکیب در صنایع به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده میشود که معمولا به آن ...
به خواندن ادامه دهیددفتر مرکزی: 88650175 (021)تلفن همراه: 09120469727ایمیل: [email protected]ایمیل: [email protected]. معرفی شرکت راهدار صنعت کیهان کارخانه سیم و کابل راهدار صنعت کیهان به عنوان اولین تولید کننده تخصصی انواع سیم و کابل …
به خواندن ادامه دهیدفروش سیلیکون کارباید ، پودر سنباده (سمباده) فروش پودر سیلیکون کارباید (سیلیکون کاربید) ( SiC. ... 021 8856 9100. دیروز: ۰۷:۴۴. شرکت سهند شیمی آرکا.
به خواندن ادامه دهیدA SiC MOSFET basically works with the voltage levels of a Si MOSFET or IGBT, but not at its best parameters. Ideally a SiC MOSFET gets at its gate 20V for …
به خواندن ادامه دهیدخرید و فروش، خدمات و قیمت المنت فشنگی، المنت، المنت سرامیکی، سیلیکون کاربید، باریت، سنباده، کارباید، اکسید کروم، المنت میله ای، اکسید آلومینیوم، رسکال، آسیاب، جت میل، brick، آرسنیک، حرارتی
به خواندن ادامه دهیدpart. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهیدLearn more about our Silicon Carbide (SiC) CoolSiC™ MOSFET Module Solutions - Easy 1B, Easy 2B,62 mm or HybridPACK™ Drive Housings.
به خواندن ادامه دهیددر این پژوهش با آمین‌دار کردن نانو ذرات سیلیکون کاربید (SiC)، ویژگی‌های مکانیکی کامپوزیت پلیمری بر پایه رزین اپوکسی اصلاح بررسی شده است. نخست سه مؤلفه‌ی زاویه چیدمان الیاف کربن، درصد وزنی SiC و مقدار عامل پخت در نظر ...
به خواندن ادامه دهیدIn this article, a discussion is given about testing and related results of Silicon-carbide power MOSFETs for automotive applications. It reports mainly about …
به خواندن ادامه دهیدسیلسیوم کارباید پودری آزمایشگاهی, سیلیکون کارباید SiC آلمان قابل ارائه توسط نانو پاسارگاد نوین شرکت نانو پاسارگاد نوین تنها دارنده نمایندگی شرکت US Research Nanomaterials, Inc درخاورمیانه میباشد. شرکت نانو پاسارگاد نوین با سال ها ...
به خواندن ادامه دهیدDelivering the highest-level efficiency at high switching frequencies allowing for system size reduction, power density increases, and high lifetime reliability. Learn more about our …
به خواندن ادامه دهیدSemiQ's new 1200V 80mΩ SiC MOSFET is available in a TO-247-3L package and will soon be available in a TO-247-4L package and a series of modules. Samples are in stock at SemiQ and are available through distributors DigiKey, Mouser and Richardson Electronics. See related items: SemiQ launches 650V, 1200V and 1700V SiC Schottky diode family
به خواندن ادامه دهیدShandong Zhongpeng Special Ceramics Co., Ltd یکی از بزرگترین راه حل های مواد جدید سرامیک کاربید سیلیکون در چین است. سرامیک فنی SiC: سختی Moh 9 است (سختی نیو مو 13)، با مقاومت عالی در برابر فرسایش و خوردگی، مقاومت در ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون کارباید که با نماد شیمیایی SiC نشان داده می شود یک ماده معدنی جامد بلوری است. از این ترکیب در صنایع به عنوان نیمه هادی و سرامیک استفاده می شود که معمولاً به آن carborundum گفته می شود.
به خواندن ادامه دهیدآلفا سیلیکون کاربید (α-SiC) شایع ترین پلی مورف است و در دمای بیش از ۱۷۰۰ درجه سانتی گراد تشکیل شده و دارای ساختار بلوری شش ضلعی (مشابه ورتزیت) است. اصلاح بتا (β-SiC)، با ساختار بلوری روی (شبیه الماس ...
به خواندن ادامه دهیدیکی از قطعات پر کار برد در صنعت پمپ سیل مکانیکی یا همان مکانیکال سیل است،. این قطعه وسیله ای ایمن برای عدم نشتی مواد ( جامد، مایع و گاز،) می باشد. سیل مکانیکی از نفوذ مواد به بیرون از سیستمی که در ...
به خواندن ادامه دهیدسیلیکون کارباید چیست؟. سیلیکون کاربید که با نام Carborundum نیز شناخته می شود ، ترکیبی از سیلیکون و کربن است. کاربید سیلیکون یک ماده نیمه هادی است که به عنوان ماده ای در حال ظهور برای ساخت دستگاه ...
به خواندن ادامه دهیدواردات و تامین بوته های گرافیتی ، سیلیکون کارباید و چدنی با ابعاد استاندارد و بهترین مارکهای اروپای و آسیایی طبق در خواست مشتری این بوته های برای ذوب انواغ فلزات غیر آهنی از قبیل طلا ، مس ، برنج ، الومینیم ، روی و ...
به خواندن ادامه دهیدنتایج حاصل از آزمایش ها نشان داد نانو ذره ی al2o3 با افزایش 25 درصدی در غلظت حجمی 3% بیش ترین تأثیر را بر روی ضریب هدایت حرارتی نانو سیال دارد. در نانو سیالات حاوی al2o3 و sic بیش ترین افزایش ضریب هدایت ...
به خواندن ادامه دهیدKAWASAKI--Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba") has developed silicon carbide (SiC) MOSFETs [1] with low on-resistance and significantly reduced switching loss—about 20% lower than in its second-generation SiC MOSFETs.. Power devices are essential components for managing and reducing power consumption …
به خواندن ادامه دهید