- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
کابل مقاوم در برابر آتش. کابل های مقاوم در برابر آتش ساختاری چند رشته یا به عبارتی چند هسته ای دارند، و این بدان معناست که از چند رشته سیم تشکیل شده اند و با توجه به نوع و ساختار کابل و کاربری آن ها به یکدیگر تابیده شده اند ...
به خواندن ادامه دهیدUsed in conjunction with Wolfspeed SiC Schottky diodes in an all-SiC system, the C2M SiC MOSFETs allow design engineers to achieve levels of energy efficiency, size, and weight reduction. The C2M family of MOSFETs is based on the rugged and reliable Gen2 SiC technology platform, providing low switching losses and high …
به خواندن ادامه دهیدBased on volume experience and compatibility know-how, Infineon introduces the revolutionary CoolSiC™ MOSFET technology which enables radically new product designs. In comparison to traditional Silicon-based switches like IGBTs and MOSFETs, the Silicon Carbide (SiC) Power MOSFET offers a series of advantages. CoolSiC™ MOSFET …
به خواندن ادامه دهیدرنگ های مقاوم در برابر حرارت مقاومت سایشی و ضربه پذیری کمی دارند. هنگامی که تحت ضربه و سایش قرار می گیرند، به راحتی از روی سطح کار جدا می شوند. یکی از معایب استفاده از مواد ضد حریق پایه سیمانی ...
به خواندن ادامه دهیدOur Silicon Carbide MOSFETs replace silicon devices to enable lower switching and conduction losses with higher blocking voltages and avalanche capability. We established a new benchmark for energy-efficient power switches when we created the industry's first fully-qualified Silicon Carbide MOSFET in 2011, and we have been perfecting the ...
به خواندن ادامه دهیدرنگ مقاوم به حرارت (۴ نوع از پرکاربردترین ها) هر سطحی که در معرض گرمای شدید قرار بگیرد با گذشت زمان دچار آسیب های بسیاری خواهد شد که. یک روش برای جلوگیری از این آسیب ها استفاده از رنگ مقاوم به ...
به خواندن ادامه دهید5 روز پیش 6284 بازدید 0 دیدگاه. شاخص ترین مشخصه فولادهای مقاوم به حرارت همان طور که نامشان گوینده آن می باشد مقاومت بالایی است که در برابر دماهای خیلی زیاد دارند. به این نوع فولاد، فولاد نسوز ...
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide (SiC) MOSFET new family, 1700V M1 planar EliteSiC MOSFET is optimized for fast switching applications. Planar technology works reliably with negative gate …
به خواندن ادامه دهیدSustainability. The BM2SCQ12xT-LBZ series integrate 1700V SiC MOSFET, which is also an industry first. This series enables breakthrough energy savings and facilitates efficient AC/DC converter design by resolving many of the issues encountered by designers using discrete solutions. Incorporating a SiC MOSFET and control circuitry optimized for ...
به خواندن ادامه دهیدکابل مقاوم در برابر آتش و حرارت که عمدتا در سیستم های اعلام حریق و ساختمان ها و مناطقی که دارای حساسیت بالا از نظر انتقال اطلاعات و همینطور مکان های پر تردد استفاده می شود، جهت حفظ یکپارچگی ...
به خواندن ادامه دهیدSilicon carbide (SiC) metal-oxide-semiconductor field effect transistors (MOSFETs) are next-generation power switching devices for high power and high blocking voltage applications. However, degradation of the on-resistance of SiC MOSFETs caused by bipolar operation has been an issue for SiC MOSFETs [1,2]. Although several studies have
به خواندن ادامه دهیدCoolSiC™ 1700 V SiC Trench MOSFET in TO-263-7 package. CoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies …
به خواندن ادامه دهیدMG400V2YMS3 1700V 400A +25V/-10V +20V/-6V MG800FXF2YMS3 3300V 800A +25V/-10V +20V/-6V Table 1.1.1 Product covered in this application note Part No. of SiC MOSFET Modules ... rating of SiC MOSFET may differ for positive and negative. Refer to the datasheet of the products for the V GSS value and make sure that gate to source …
به خواندن ادامه دهیدSolitron Devices is pleased to announce the introduction of the SD11710 the latest in our series of hi-rel MOSFETs and the industry's first military-grade 700V silicon …
به خواندن ادامه دهید2021617 ※2021617 rohm. rohm（：）、ac、、,1700vsic mosfet *1 ac/dc *2 ic「bm2sc12xfp2-lbz」。.,400v,si ...
به خواندن ادامه دهیدSiC MOSFET：. （AG）. （T J = 200°C）. . . IC. . SiC MOSFET（HiP247、H2PAK-7 …
به خواندن ادامه دهیدAchieve high switching frequency, minimal losses and maximum efficiency using SiC MOSFETs from leading suppliers. Silicon Carbide also offers excellent power density. ... The full Silicon Carbide power modules are available from 20A to 540A in 1200V and 1700V, with and without anti-parallel freewheeling Schottky diode. Sixpacks, half-bridges ...
به خواندن ادامه دهیدCoolSiC™ 1700 V, 650 mΩ SiC MOSFET in a TO-263-7 high creepage package is optimized for fly-back topologies to be used in auxiliary power supplies connected to DC …
به خواندن ادامه دهید3SiC MOSFETは、650V, 1200Vのをラインアップ。 2からきき、SiC MOSFETのドレイン・ソースにするPNダイオードとにショットキーバリアダイオード(SBD)をするをし、デバイスのを、さらに [1] デバイスをすることで、2 ...
به خواندن ادامه دهیدOwing to the superior properties of silicon carbide (SiC), such as higher breakdown voltage, higher thermal conductivity, higher operating frequency, higher operating temperature, and higher saturation …
به خواندن ادامه دهید. NVBG025N065SC1. Mouser . 863-NVBG025N065SC1. . onsemi. MOSFET Silicon Carbide (SiC) MOSFET - EliteSiC, 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L Silicon Carbide (SiC) MOSFET - 19 mohm, 650 V, M2, D2PAK-7L. . onsemi nvbg025n065sc1 mosfets.
به خواندن ادامه دهید3300V 1Ω SiC MOSFET v/s Competitors GeneSiC G3R1000MT33J (3300V 5A) Competitor 1 Competitor 2 Competitor 3 Device Type SiC MOSFET (Planar) Si Power MOSFET Si Power MOSFET IGBT V (BR)DSS 3300V 3000V 2500V 2500V Package TO-263-7 (with Kelvin source) TO-247-3 (HV) TO-264-3 TO-268-2 / TO-247-3 T j (Max) 175 °C 150 °C …
به خواندن ادامه دهیدIg: Gate current to SiC MOSFET (A) Qgs: Charge of gate and source of SiC MOSFET (nC) Qgd: Charge of gate and drain of SiC MOSFET (nC) Rpon: ON resistance of PMOSFET ( ) Vgs(th): Threshold voltage of SiC MOSFET (V) tsw: Switching time (nS) Note: tSW is the time it takes to reach the end of the plateau voltage and 1~2% of the switching period.
به خواندن ادامه دهیدWOLFSPEED. No Image. SiC MOSFETs C3M™ in TOLL Package. Offers a much lower on-state resistance temperature dependence than standard silicon MOSFETs. 650V Silicon Carbide Power MOSFETs. E-Series Automotive Silicon Carbide Power MOSFETs. PPAP capable, humidity-resistant MOSFETs that offer low switching losses …
به خواندن ادامه دهیدpart. Furthermore, SiC MOSFETs have the benefit of being unipolar devices, and thus enable faster switching than a Si IGBT, and better controllability of switching behavior. This makes the SiC MOSFET a very attractive device. Infineon developed a truly ònormally-off ó SiC MOSFET using trench technology with the trade mark name CoolSiC™ MOSFET.
به خواندن ادامه دهید1700V* 100mΩ~1150mΩ: Eigenschaften der 3. Generation der SiC-Trench-MOSFETs. Einschaltwiderstand um 50 % verringert* gegenüber planaren SiC-MOSFETs und Schaltleistung verbessert (ca. 35 % geringerer Eingangskapazität). (*Vergleich mit gleich großem Chip) Produktpalette. Rated Voltage
به خواندن ادامه دهیدنام شیشه‌ی مقاوم در برابر گرما چیست؟ در دنيای امروز با پيشرفت تكنولوژی شیشه‌هایی با عنوان شیشه ضد حرارت (Fire-rated glass) پا به عرصه ظهور گذاشتند تا شیشه‌ها را در برابر آتش مقاوم‌تر كنند.
به خواندن ادامه دهید1 Introduction. Silicon carbide (SiC) power metal-oxide semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) are the centre of attention for medium-voltage wide bandgap (WBG) device development to displace silicon insulated gate bipolar transistors (IGBTs) in recent years because they can enable power converter designs of high frequency, high …
به خواندن ادامه دهیدCreate more efficient and compact systems than ever with STPOWER SiC MOSFETs. Bring the advantages of innovative wide bandgap materials (WBG) to your next design thanks …
به خواندن ادامه دهیدWide gate-source voltage V GSS specification range. For our 3rd-generation SiC MOSFETs, the specification range of the gate-source voltage is -10 to 25 V, which is wider than that of other companies' …
به خواندن ادامه دهیدC2M0045170D Wolfspeed MOSFET SiC Power MOSFET 1700V, 72A datasheet, inventory, & pricing. Skip to Main Content (800) 346-6873. Contact Mouser (USA) (800) 346-6873 | Feedback. Change Location. English. Español $ USD United States. Please confirm your currency selection: Mouser Electronics - Electronic Components …
به خواندن ادامه دهیدGeneSiC3300V1700V SiC MOSFET, 1000mΩ450mΩSMD, .,., ...
به خواندن ادامه دهید