- +8618437960706
- دوشنبه تا شنبه: 10:00 - 16:00 / یکشنبه تعطیل است
Buy onsemi NTH4L014N120M3P in Avnet APAC. View Substitutes & Alternatives along with datasheets, stock, pricing and search for other Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & …
به خواندن ادامه دهیدonsemi NTH4L014N120M3P Silicon Carbide (SiC) MOSFET is optimised for power applications. The onsemi MOSFET features Planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. This family provides optimum performance when driven with an 18V gate drive, but also works well with a 15V gate drive.
به خواندن ادامه دهیدOrder today, ships today. NTH4L014N120M3P – N-Channel 1200 V 127A (Tc) 686W (Tc) Through Hole TO-247-4L from onsemi. Pricing and Availability on millions of electronic components from Digi-Key Electronics.
به خواندن ادامه دهیدNTH4L040N120SC1 4 TYPICAL CHARACTERISTICS 16 V Figure 1. On−Region Characteristics Figure 2.Normalized On−Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage VDS, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V) ID, DRAIN CURRENT (A) 0 2 0 80 100 0 20 50 100 0.5 1.0 1.5 Figure 3.
به خواندن ادامه دهیدonsemi NTH4L014N120M3P Silicon Carbide (SiC) MOSFET is optimized for power applications. The onsemi MOSFET features planar technology that works reliably …
به خواندن ادامه دهیدN−CHANNEL MOSFET TO−247−4L CASE 340CJ ORDERING INFORMATION Device Package Shipping NTH4L014N120M3P TO−247−4L 30 Units / Tube H4L014120M3P = Specific Device Code A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week ZZ = Lot Traceability H4L014 120M3P AYWWZZ MARKING DIAGRAM D S2 G S1 S1: Driver …
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide SiC MOSFET - 14mohm, 1200V, M3, TO247-4L, NTH4L014N120M3P Datasheet
به خواندن ادامه دهیددانلود نمونه قالب های رایگان – طرح های انتزاعی. در این بخش، شما می توانید قالب پاورپوینت پایان نامه را انجام دهید. با کلیک بر روی هر کدام از قالب ها، قالب در اختیار شما قرار می گیرد.
به خواندن ادامه دهیدN−CHANNEL MOSFET TO−247−4L CASE 340CJ ORDERING INFORMATION Device Package Shipping NTH4L014N120M3P TO−247−4L 30 Units / Tube H4L014120M3P = Specific Device Code A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week ZZ = Lot Traceability H4L014 120M3P AYWWZZ MARKING DIAGRAM D S2 G S1 S1: Driver …
به خواندن ادامه دهیدN−CHANNEL MOSFET TO−247−4L CASE 340CJ ORDERING INFORMATION Device Package Shipping NTH4L040N120M3S TO−247−4L 30 Units / Tube H4L040120M3S = Specific Device Code A = Assembly Location Y = Year WW = Work Week ZZ = Lot Traceability H4L040 120M3S AYWWZZ MARKING DIAGRAM D S2 G S1 S1: Driver …
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide SiC MOSFET - 14mohm, 1200V, M3, TO247-4L, NTH4L014N120M3P Datasheet, NTH4L014N120M3P circuit, NTH4L014N120M3P data sheet : ONSEMI, …
به خواندن ادامه دهیدADAS and Automation Systems enable modern vehicles to become semi-autonomous with increased safety, minimizing fatalities and injuries.. Learn more about our holistic sensing …
به خواندن ادامه دهیدNTH4L014N120M3P 2 THERMAL CHARACTERISTICS Parameter Symbol Typ Max Unit Junction−to−Case − Steady State (Note 1) R JC 0.17 0.22 °C/W Junction−to−Ambient − Steady State (Note 1) R JA 40 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25°C unless otherwise specified) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit
به خواندن ادامه دهیدonsemi NTH4L014N120M3P Silicon Carbide (SiC) MOSFET is optimized for power applications. The onsemi MOSFET features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate.
به خواندن ادامه دهیدBuy onsemi NTH4L014N120M3P in Avnet Americas. View Substitutes & Alternatives along with datasheets, stock, pricing and search for other Silicon Carbide (SiC) MOSFETs & Modules products.
به خواندن ادامه دهیدNTH4L014N120M3P/D Silicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L NTH4L014N120M3P Features • Typ. RDS(on) = 14 m @ VGS = 18 V • Low …
به خواندن ادامه دهیدonsemi NTH4L014N120M3P Silicon Carbide (SiC) MOSFET is optimized for power applications. The onsemi MOSFET features planar technology that works reliably with negative gate voltage drives and turns off spikes on the gate. This family has optimum performance when driven with an 18V gate drive but also works well with a 15V gate drive.
به خواندن ادامه دهیدNVHL020N120SC1 3 TYPICAL CHARACTERISTICS 16 V Figure 1. On−Region Characteristics Figure 2.Normalized On−Resistance vs. Drain Current and …
به خواندن ادامه دهیدMOSFET, N-CH, 1.2KV, 127A, TO-247 RoHS: Compliant Min Qty: 1 Container: Each: 0 1 S$71.5600 S$71.5600 Buy Now Top of Page ↑ Farnell Authorized Distributor. Part # Manufacturer Description Stock Price Buy; Details. NTH4L014N120M3P ...
به خواندن ادامه دهیدNTH4L160N120SC1 3 Table 2. ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25°C unless otherwise specified) (continued) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit DRAIN−SOURCE DIODE CHARACTERISTICS Reverse Recovery Energy EREC VGS = −5/20 V, ISD = 16 A, dIS/dt = 1000 A/ s − 3.9 − J
به خواندن ادامه دهیدDS(ON) (mQ) Typical 28 1000 T0247-3 NTHLIOOON170M1 T0247-4 NTH4L028N170M1 D2PAK-7L NTBG028N170M1 NTBGIOOON170M1 Products marked in blue are in development, sampling Q2 2022
به خواندن ادامه دهیدSilicon Carbide (SiC) MOSFET – EliteSiC, 14mohm, 1200V, M3P, TO-247-4L. Manufacturer: onsemi. Product Category: Discretes, FETs, Silicon Carbide (SiC) …
به خواندن ادامه دهیدWe would like to show you a description here but the site won't allow us.
به خواندن ادامه دهیدNTH4L014N120M3P onsemi MOSFET SiC MOSFET 1200 V 14 mohm M3P Series in TO247-4LD package datasheet, inventory & pricing.
به خواندن ادامه دهیدNTH4L014N120M3P onsemi MOSFET SiC MOSFET 1200 V 14 mohm M3P Series in TO247-4LD package datasheet, inventory & pricing.
به خواندن ادامه دهیدNTH4L020N120SC1 4 TYPICAL CHARACTERISTICS 16 V Figure 1. On−Region Characteristics Figure 2.Normalized On−Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage VDS, DRAIN−TO−SOURCE VOLTAGE (V) ID, DRAIN CURRENT (A) 0 2 0 200 250 0 50 250 0.5 1.0 1.5 Figure 3.
به خواندن ادامه دهیدشما در رزومه ساز رایگان سی وی بیلدر می توانید رزومه خود را در 150 قالب گرافیکی رایگان دانلود نمایید. برای این کار کافی است فرم رزومه ساز آنلاین را پر کرده و پس از تکمیل اطلاعات، فایل PDF و Word رزومه کاری خود را در یکی از 150 ...
به خواندن ادامه دهیدرایگان. مرتب سازی. تعداد نمایش. دانلود رایگان آبجکت های سه بعدی با لینک مستقیم Download 3D Models and Objects دانلود ویژه و رایگان مدل های سه بعدی و تری دی مکس 3D Max از 3DSky Pro.
به خواندن ادامه دهیدNTH4L014N120M3P 3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25°C unless otherwise specified) (continued) Parameter Symbol Test Condition Min Typ Max Unit SOURCE−DRAIN DIODE CHARACTERISTICS Reverse Recovery Time tRR VGS = −3/18 V, ISD = 74 A, dIS/dt = 1000 A/ s, VDS = 800 V − 36 − ns
به خواندن ادامه دهیدSOT-363-6 MOSFET, DFN2020MD-6 MOSFET, Enhancement 50 A SMD/SMT N-Channel 30 V MOSFET, SMD/SMT 1 Channel PowerPAK SO-8 N-Channel 2.2 V MOSFET, 12 A N-Channel 250 V MOSFET, 1.8 A N-Channel MOSFET. Technical Specifications. Product Description.
به خواندن ادامه دهید